On se sert ensuite de cette structure en champignon pour autoaligner les contacts ohmiques avec la grille par effet d'ombre lors de l'évaporation de Au-Ge.
Description d'un procédé de fabrication faisant appel à une nouvelle technique de lithographie qui permet d'autoaligner une source de 0,15 um à une grille de 0,3 um sur les côtés opposés d'une couche active GaAs de 0,2 um d'épaisseur.